Partenaires

Logo tutelle CNRS
Logo tutelle Ensicaen
Logo tutelle Unicaen
Logo CNRT
Logo Labex EMC3
Logo Carnot


Rechercher

Sur ce site

Sur le Web du CNRS


Intranet Webmail

Accueil du site > Divers > Equipe-4 MFS > Daniel PASQUET

Daniel PASQUET

15 octobre 2010

Daniel PASQUET

Enseignant Chercheur

contact :
Tel.+33.1.30.73.62.73
e-mail : d.pasquet@ieee.org

Activité de recherche

Domaine scientifique principal : Sciences pour l’ingénieur

Mots Clefs : mesure de bruit, modélisation actifs et passifs, simulation passifs

Thèmes de Recherche : (i) Mise au point d’une nouvelle méthode de mesure des paramètres de bruit (ii) Modélisation en bruit des transistors bipolaires à hétérojonction sur SiGe (iii) Simulation électromagnétique et modélisation de passifs (lignes, inductances)

Collaborations : Nationales : ENSEA Cergy
Internationale : Agilent Technologies (USA), NPL (UK),Cascade Microtech (Allemagne)

Publications récentes

.Giannini, E. Bourdel, D. Pasquet
A New Method to Extract Noise Parameters Based on a Frequency and Time-domain Analysis of Noise Power Measurements, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement
Vol. 57, n°2, (Febr. 2008), pp, 261-267

L. Nguyen-Tran, D. Pasquet, E. Bourdel, S. Quintanel
CAD-Oriented Model of a Coplanar Line on a Silicon Substrate Including Eddy Current Effects and Skin Effect, IEEE, Transactions on Microwave Theory and Technique
Vol. 56, n°3, March 2008, pp. 663-670

D. Pasquet, E. Bourdel, Member, S. Quintanel, T. Ravalet, P. Houssin
New Method for Noise-Parameter Measurement of a Mismatched Linear Two-Port using Noise Power Wave Formalism, IEEE, Transactions on Microwave Theory and Technique
Vol. 56, n°9, Sept. 2008 pp, 2136-2142

L. Nguyen-Tran, E. Bourdel, S. Quintanel, D. Pasquet
New Extraction Method of an Equivalent Circuit for an Inductor in BiCMOS Technology Including Lossy Effects, International Journal of Microwave and Wireless Technology
accepté pour publication